局部放電
1. 局部放電理論（lùn）的微觀（guān）解釋
一般認為，局部放電是一種未發生擊穿的放電現象，具體來講，是指絕緣係統在電場作用下隻有部分區域發生放電但沒有穿（chuān）透施加（jiā）電壓的導體之間的放電現象。局部放電不會造成絕緣（yuán）係統的貫穿性擊穿，但是會局部破壞電介質（zhì）材料尤其是有機材料。長期發生的局部放（fàng）電會降低（dī）絕（jué）緣材料的（de）電氣強度。所以局部放電對絕緣係統的破壞是一個又量變（biàn）到質變的過程（chéng），對高壓電（diàn）氣設備的正常運行構成隱患（huàn）。一（yī）般根據設備不同條件的下的局放特（tè）性可以評估其絕緣水平。
目前對於（yú）局部（bù）放電的（de）描述有（yǒu）兩大微觀理論：湯遜理論和流注理論。
1）湯遜理論：自由電子在電廠加速運動過程中與中性氣體分子碰撞，當（dāng）能量達到一定高度時（shí），氣（qì）體電離產生電子，這樣就有了新的自由電子和離子，這（zhè）些電子繼續運動（dòng），再繼（jì）續碰撞產（chǎn）生新的電離和（hé）離子。如此循環，自由電子的數（shù）目成α倍增長，於是形成了電子崩，當滿足自持放電條件時（shí），就會發生局部放電。湯遜理（lǐ）論適用於pd（p為氣體壓強，d為放電間隙）值較小的情況下。
2）流注理論：該理（lǐ）論是在湯遜理論的基礎上發生的，適用（yòng）於pd值較大的情況下。它（tā）著重強調氣（qì）體空間的（de）光電離現象。電子（zǐ）崩發生時（shí），電崩頭（tóu）與崩尾（wěi）的離子濃度達（dá）到一定程度就會發出光子，光子（zǐ）再激發中性（xìng）分子放電進而產生（shēng）二（èr）次電子崩。兩次雪崩疊（dié）加後使電（diàn）子崩中部的等離子區迅速擴大，當擴大到貫穿電子崩（bēng）兩極時就發生了氣體放電。氣體放（fàng）電沿著一條狹窄的等離子通道產生，從而（ér）形成流注放電，流注（zhù）放電一旦形成，放（fàng）電就（jiù）轉（zhuǎn）入自持，局部放電就產生了（le）。
2. 局部（bù）放電的特點
一（yī）般來說，局部放電具有以下幾個特點（diǎn）：（1）破壞性。
局（jú）部放電會引（yǐn）起高壓電氣設備局部過熱，加快設備的老（lǎo）化，縮短其使用壽命；放電嚴（yán）重時，直接損（sǔn）壞電氣設備。
（2）隨機性。
局部放電趨勢是局部放電隨著時間變化的過程，這是個（gè）曲折（shé）、隨（suí）機的（de）過程，某個階段可能上升，另一個階段下降，並且，其上升或者下降沒有固定的時間規律，具（jù）有隨機性。
（3）伴隨性。
通常情況下，高壓電氣設備產生局部放電時，會伴隨光、電、聲、熱等現象，會產生光、電流脈（mò）衝、超聲波、超高頻電磁波，還會發生化學反應，產生一些新的生成物。
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