GIS內部缺陷種類及其放電特征（2）

GIS設備內部缺陷產生局部放電（diàn）的特征

a. 發生在導體（tǐ）周圍的電暈放電，由於氣（qì）體中的（de）分子是自由移動的，因此GIS設備中的（de）電暈放電過程與空氣中的電暈放電（diàn）相似。

b. GIS設備中絕緣子（zǐ）內部的氣隙放電在工頻正負兩個半周內基本相同（tóng），即正負半周放電指紋（wén）基本對稱。放電脈衝一（yī）般出現在試驗電壓幅值絕對值的上升部分，放電頻率依賴於所加電壓大小（xiǎo），隻有在放電強烈時，才一會擴展到電壓絕對值下降部分的相位上，且每次放電的（de）大小不相等。

c. 絕緣子表麵的缺（quē）陷(如汙穢等)有助於表麵電荷的（de）增加，可能會形（xíng）成表麵放電，導致絕緣子表麵的絕緣劣化，甚至擊穿。

d. 自由（yóu）導電微粒和固體導體上金屬突起放電（diàn）的（de）相位分布有著明顯不同。這個特征通常可以用來區分缺陷（xiàn）的類型。GIS設（shè）備中自（zì）由導電微粒有積（jī）累電荷能力，在交流電壓作用下（xià），靜電力可（kě）使導（dǎo）電微粒在GIS筒內跳動，如直立旋轉、舞動運動等。這種運動與放電的出現在很大程度上是隨機（jī）的（de）。