局部放電的理論

通常，成版人APP网站應用湯（tāng）申理論和流注放電理論來描述電氣設備的絕緣係統內（nèi）部發生局部放電的原理。

1. 湯申理論
英國物理學家湯申認為：在電場的作用下，自由電子的移動速（sù）度加快並和氣體中性分子發生碰撞，當電子的動能（néng）足夠大時，就會使被撞的中性分子遊離，激發出新的自由電子和正離（lí）子。這種碰撞遊離一旦發生，就將會越（yuè）來越劇烈。被碰撞遊（yóu）離出的新自由（yóu）電子在強電場的作用下（xià）繼續加速，並將產生新的碰撞遊離，使得自由電子的數量急劇增多，形成電子崩。當滿足自持放電的條件時，就會發生持續的局部放電。

2. 流注放電理論
學者洛伊布（bù）和米克（kè）在湯（tāng）申（shēn）德理（lǐ）論基礎上，通（tōng）過大量的試驗研究和對雷電的觀測，得出了（le）下（xià）述結（jié）論：在氣隙放電中，除了電子碰撞遊離（lí）以外（wài），對（duì）放電的發展起作用的主要是光遊離作用（yòng）。當電場強度足夠大時，先是電子碰撞遊離發展成電子崩，這裏成版人APP网站稱之為初崩。由於電子的質量小，所以在（zài）電場的作（zuò）用下獲得加速很容易，並（bìng）快速移動（dòng）到電子（zǐ）崩的頭（tóu）部。而正離子質量大，體積比電子也大得多，因（yīn）此（cǐ）緩慢地移動到電子崩的尾部。同時，由於電子的擴散作用，電子崩的半徑愈來愈大，其（qí）外形如（rú）一個頭部為球形的圓錐體。當自由（yóu）電子（zǐ）和正離子（zǐ）濃度很高時，二者就（jiù）會發生複合而（ér）產生光電子（zǐ），光（guāng）電子進入電子崩兩端的高場強區，很快就會激發中性分子遊離，釋放出自由電子（zǐ）並發展成二次電子崩。二次電子崩頭部的電子與初崩的正離子匯合成為充滿正負電荷的混合通道，我（wǒ）們稱（chēng）之為流注通（tōng）道。當流注通道貫穿陰陽兩個電極時，就會產生氣體（tǐ）放電。這樣沿著狹窄的流注通道進（jìn）行放電，就形成了流注放電。由於光遊離的放電速度比電子碰撞遊離的速（sù）度快，所以流注放電比單純依靠電子碰撞遊離的放電速（sù）度要快得多。