近年來我國電力事業持續高（gāo）速發展，同時城市化進（jìn）程（chéng）的推進使得土地資源的（de）供需矛（máo）盾凸顯，傳（chuán）統的敞開式變電站己（jǐ）經難以在（zài）城市（shì）電網中應用，因此緊湊結構的GIS獲得了（le）廣泛的應用。由於GIS的特殊結構，業內普遍認為它是免修設備，然而隨著應用增（zēng）多及時間的推移，GIS依然出現了（le）不少的故障。據統計調查，GIS故障造成的損失會隨（suí）著電壓等級的增大而增大，同時其維修成本也越高，絕緣故（gù）障占比例最高（gāo）達到57.3% ，機械故（gù）障次之達到18.1%，其中，導（dǎo）電微粒在整個絕緣故（gù）障（zhàng）中約占20%，另外故障也多見於固體絕緣，主要是絕緣（yuán）子及澆注式樹脂絕緣缺陷。
GIS設備（bèi）產生絕緣缺陷機理複（fù）雜、原（yuán）因繁多，小編總結其中常見的（de）絕緣缺陷類型如下：金屬突起（qǐ）類缺陷、異物及自由微粒缺陷（xiàn）、懸浮電位缺陷、絕緣子類缺陷、SF6氣體混有水蒸氣等。
（1）金屬突起類缺（quē）陷
根據金屬（shǔ）尖刺位置的（de）不同，可（kě）分為高壓導體（tǐ）尖刺和外殼尖刺（cì），由於金屬尖（jiān）刺的曲率半（bàn）徑小（xiǎo），容易導（dǎo）致局部場強過高，從而造成電暈放電。在工頻電壓下，金（jīn）屬尖刺在電暈放電的（de）過程中，一般會（huì）隨著（zhe）放電而慢慢燒蝕鈍化，最終放電逐（zhú）漸（jiàn）減弱甚至消失，故此類絕緣缺（quē）陷在工頻運行電（diàn）壓下（xià）造成內（nèi）部擊（jī）穿的概率較小，但是在快速暫態過電（diàn）壓下，其造成的危害較為嚴重。
（2）異物及自由微粒缺（quē）陷（xiàn）
這種缺陷較為常（cháng）見，主要包括（kuò）在生產工藝控製不到位導致在GIS腔體（tǐ）內一六金屬碎屑以及GIS開關動作（zuò）過（guò）程中產生的金屬碎屑。在工頻運行電壓作用下，金屬微粒可能產生跳動（dòng）、移（yí）位等動作，自由金（jīn）屬顆粒在跳動後下落的過程中，局部放電較易發生，另外還可能形成導電通道，嚴重（chóng）時會導致GIS內部擊穿。局部放電（diàn）的初始電壓以及放電量與充氣壓力及金屬顆粒大小和氣壓密切相關。
（3）懸浮電位缺陷
GIS內部采用了大量的屏蔽電極，主要作用是改善（shàn）GIS內部的電場分布，使之更加（jiā）均勻，在運行初期，屏蔽電極與導體間的（de）接觸一般（bān）是比較好的，但是隨著開關動作等引起的振動作用，連接部位可能出現鬆動，則會形成這種缺陷，這種缺陷下的放電比較明顯，此時產生的（de）超聲脈衝發生是不均勻、不連續的。
（4）絕緣（yuán）子類（lèi）缺陷
絕緣子（zǐ）類缺陷一般（bān）有兩種，絕緣子（zǐ）內部缺（quē）陷和絕緣子表麵的贓汙缺陷。絕緣子內部缺（quē）陷主要是在生產工藝控製不（bú）佳造成（chéng）的，而且這種內部缺（quē）陷通常都比較微小，出廠時很難被檢測到，另外，由於矽橡膠在固化階段的收縮以及環氧樹脂和（hé）電極是不同的材料，不（bú）同的熱膨脹係數（shù）等因素最終（zhōng）也可能在絕（jué）緣子內部形成微小（xiǎo）空隙，除此之外，由裝配誤差以及GIS運行中的機械振動也可能導致（zhì）絕緣（yuán）子損傷，從而產生氣隙（xì）及裂紋缺陷。絕緣子表（biǎo）麵髒汙缺陷主要來源於生產及運輸過程，如果絕緣子（zǐ）表麵將這些汙染物吸附住，微粒附近可能引起電荷積累，長期（qī）的放（fàng）電會導致絕緣子劣（liè）化，出（chū）現電樹枝，從而破壞盆式絕緣子本體，最終導致（zhì）其（qí）損壞。
（5）SF6氣體混有水蒸氣（qì）
有研究（jiū）表（biǎo）明（míng）：在GIS設備（bèi）內（nèi）部SF6氣體混（hún）入其它（tā）少量絕緣性能強的氣體(如氮氣)非但不會降低，反而會提高SF6氣體絕緣性能的作用（yòng），但混入的氣（qì）體是水蒸氣，則會造（zào）成其絕緣性能（néng）的劣化。在溫度上升的過程中，有可能導致GIS內部的雜質物質存在於混在（zài）水蒸氣凝露裏，當附著在（zài）盆子（zǐ）表麵（miàn）時，肯定會影響盆式絕緣子表麵（miàn）的絕緣特性，造成絕緣性能的降低。
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